Wygląda na to, że JavaScript jest wyłączony w twojej przeglądarce. By w pełni cieszyć się naszą stroną, upewnij się, że włączyłeś JavaScript w swojej przeglądarce.

Przejdź na koniec galerii

main product photo

Przejdź na początek galerii

TPS1120Y

TEXAS INSTRUMENTS

Powiadom mnie gdy produkt będzie dostępny

Więcej informacji
Do pobrania	Download
Main description	Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube

PARAMETRY PRODUKTU

Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube

Informacje podstawowe

ProducentTexas Instruments
EURoHSNo (2011/65/EU, 2015/863)
Automotive No

Informacje dodatkowe

PCNs 39
MaskPart TPS1120Y%
IntroductionDate Mar 01, 1994

Parametry

Category Small Signal
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Configuration Dual Dual Drain
Material Si
Maximum Continuous Drain Current (A) 1.17
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 400
Maximum Drain Source Voltage (V) 15
Maximum Gate Source Voltage (V) 2
Maximum Operating Temperature (°C) 125
Maximum Power Dissipation (mW) 840
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Number of Elements per Chip 2
Supplier Temperature Grade N/A
Typical Fall Time (ns) 2
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 5.45
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 5.45@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) N/A
Typical Rise Time (ns) 10
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 13
Typical Turn-On Delay Time (ns) 4.5

Copyright © CBTG technologie - Dystrybucja Komponentów Elektronicznych