Wygląda na to, że JavaScript jest wyłączony w twojej przeglądarce. By w pełni cieszyć się naszą stroną, upewnij się, że włączyłeś JavaScript w swojej przeglądarce.

Przejdź na koniec galerii

main product photo

Przejdź na początek galerii

PHB34NQ10T

NXP SEMICONDUCTORS

Powiadom mnie gdy produkt będzie dostępny

Więcej informacji
Do pobrania	Download
Main description	Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

PARAMETRY PRODUKTU

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Informacje podstawowe

ProducentNXP Semiconductors
Automotive No

Informacje dodatkowe

Crosses 159
PCNs 22
MaskPart PHB34NQ10T%
IntroductionDate Aug 01, 1999

Parametry

Category Power MOSFET
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
Material N/A
Maximum Continuous Drain Current (A) 35
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 40@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 136000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Number of Elements per Chip 1
Supplier Temperature Grade N/A
Typical Fall Time (ns) 38
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 40
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 40@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1704@25V
Typical Rise Time (ns) 55
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 48
Typical Turn-On Delay Time (ns) 12

Copyright © CBTG technologie - Dystrybucja Komponentów Elektronicznych