Wygląda na to, że JavaScript jest wyłączony w twojej przeglądarce. By w pełni cieszyć się naszą stroną, upewnij się, że włączyłeś JavaScript w swojej przeglądarce.

Przejdź na koniec galerii

main product photo

Przejdź na początek galerii

PHB30NQ15T /T3

NXP SEMICONDUCTORS

Powiadom mnie gdy produkt będzie dostępny

Więcej informacji
Do pobrania	Download
Main description	Trans MOSFET N-CH 150V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

PARAMETRY PRODUKTU

Trans MOSFET N-CH 150V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Informacje podstawowe

ProducentNXP Semiconductors
Automotive No

Informacje dodatkowe

Crosses 15
PCNs 13
MaskPart PHB30NQ15T%
IntroductionDate May 24, 1997

Parametry

Category Power MOSFET
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
Material N/A
Maximum Continuous Drain Current (A) 29
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 63@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 150
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 150000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Number of Elements per Chip 1
Supplier Temperature Grade N/A
Typical Fall Time (ns) 38
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 55
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 55@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 2390@25V
Typical Rise Time (ns) 50
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 48
Typical Turn-On Delay Time (ns) 14

Copyright © CBTG technologie - Dystrybucja Komponentów Elektronicznych