Wygląda na to, że JavaScript jest wyłączony w twojej przeglądarce. By w pełni cieszyć się naszą stroną, upewnij się, że włączyłeś JavaScript w swojej przeglądarce.

Przejdź na koniec galerii

main product photo

Przejdź na początek galerii

MRF947AT1

NXP SEMICONDUCTORS

Powiadom mnie gdy produkt będzie dostępny

Więcej informacji
Do pobrania	Download
Main description	Trans RF BJT NPN 10V 0.05A 3-Pin Case 419-02 T/R

PARAMETRY PRODUKTU

Trans RF BJT NPN 10V 0.05A 3-Pin Case 419-02 T/R

Informacje podstawowe

ProducentNXP Semiconductors
EURoHSNo (2011/65/EU, 2015/863)
Automotive No

Informacje dodatkowe

PCNs 14
MaskPart MRF947A%
IntroductionDate Aug 16, 1994

Parametry

Configuration Single
Material Si
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) N/A
Maximum Collector Base Voltage (V) 20
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) N/A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 10
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V) <20
Maximum DC Collector Current (A) 0.05
Maximum DC Collector Current Range (A) 0.001 to 0.06
Maximum Emitter Base Voltage (V) 1.5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 188
Maximum Transition Frequency (MHz) 8000(Typ)
Minimum DC Current Gain 75@5mA@6V
Minimum DC Current Gain Range 50 to 120
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Number of Elements per Chip 1
Output Power (W) N/A
Supplier Temperature Grade N/A
Type NPN

Copyright © CBTG technologie - Dystrybucja Komponentów Elektronicznych