Wygląda na to, że JavaScript jest wyłączony w twojej przeglądarce. By w pełni cieszyć się naszą stroną, upewnij się, że włączyłeś JavaScript w swojej przeglądarce.

Przejdź na koniec galerii

main product photo

Przejdź na początek galerii

MJD44H11T4-A

STMICROELECTRONICS

Powiadom mnie gdy produkt będzie dostępny

Więcej informacji
Do pobrania	Download
Main description	Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

PARAMETRY PRODUKTU

Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Informacje podstawowe

ProducentSTMicroelectronics
EURoHSYes with Exemption (2011/65/EU, 2015/863)
Automotive Yes

Informacje dodatkowe

Crosses 22
Inventory 4
PCNs 22
MaskPart MJD44H11T4A%
IntroductionDate Aug 06, 2009

Parametry

Category Bipolar Power
Configuration Single
Material N/A
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.5@0.8A@8A
Maximum Collector Base Voltage (V) N/A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 1@0.4A@8A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 80
Maximum DC Collector Current (A) 8
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 20000
Maximum Storage Temperature (°C) 150
Maximum Transition Frequency (MHz) N/A
Minimum DC Current Gain 60@2A@1V|40@4A@1V
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Minimum Storage Temperature (°C) -55
Number of Elements per Chip 1
Output Power (W) N/R
Supplier Temperature Grade Automotive
Type NPN

Copyright © CBTG technologie - Dystrybucja Komponentów Elektronicznych