Porównaj
Język
PL
Language: PL
Currency: PLN
Porównaj
main product photo

BZW50-150B

NEW JERSEY SEMI-CONDUCTOR
Zapytaj o produkt
Dodaj do listy życzeń Porównaj
Powiadom mnie gdy produkt będzie dostępny
Więcej informacji
Do pobrania Download
Main description Diode TVS Single Bi-Dir 150V 5KW 2-Pin Case D-6
Diode TVS Single Bi-Dir 150V 5KW 2-Pin Case D-6

Informacje podstawowe

  • ProducentNew Jersey Semi-Conductor
  • Automotive No

Informacje dodatkowe

  • Crosses 1059
  • MaskPart BZW50150B%
  • IntroductionDate Feb 22, 2016

Parametry

  • Capacitance Value (pF) 1700(Typ)
  • Configuration Single
  • Direction Type Bi-Directional
  • Maximum Breakdown Voltage (V) 204
  • Maximum Clamping Voltage (V) 269
  • Maximum Forward Voltage (V) N/A
  • Maximum Operating Temperature (°C) 175
  • Maximum Peak Pulse Current (A) 19
  • Maximum Reverse Leakage Current (uA) 5
  • Maximum Reverse Stand-Off Voltage (V) 150
  • Maximum Storage Temperature (°C) 175
  • Minimum Breakdown Voltage (V) 166
  • Minimum Operating Temperature (°C) -65
  • Minimum Storage Temperature (°C) -65
  • Number of Elements per Chip 1
  • Operating Junction Temperature (°C) -65 to 175
  • Peak Forward Surge Current (A) 500
  • Peak Pulse Power Dissipation (W) 5000
  • Supplier Temperature Grade N/A
  • Test Current (mA) 1
  • Tradename N/A
Copyright © CBTG technologie - Dystrybucja Komponentów Elektronicznych