Wygląda na to, że JavaScript jest wyłączony w twojej przeglądarce. By w pełni cieszyć się naszą stroną, upewnij się, że włączyłeś JavaScript w swojej przeglądarce.

Przejdź na koniec galerii

main product photo

Przejdź na początek galerii

BZW06-376B

EIC SEMICONDUCTOR

Powiadom mnie gdy produkt będzie dostępny

Więcej informacji
Do pobrania	Download
Main description	Diode TVS Single Bi-Dir 376V 600W 2-Pin DO-15

PARAMETRY PRODUKTU

Diode TVS Single Bi-Dir 376V 600W 2-Pin DO-15

Informacje podstawowe

ProducentEIC Semiconductor
EURoHSYes (2011/65/EU, 2015/863)
Automotive No

Informacje dodatkowe

Crosses 262
MaskPart BZW06376B%
IntroductionDate Aug 28, 2005

Parametry

Capacitance Value (pF) 175(Typ)
Configuration Single
Direction Type Bi-Directional
Maximum Breakdown Voltage (V) 462
Maximum Clamping Voltage (V) 603
Maximum Forward Voltage (V) N/A
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Peak Pulse Current (A) 1.3
Maximum Reverse Leakage Current (uA) 1
Maximum Reverse Stand-Off Voltage (V) 376
Maximum Storage Temperature (°C) 175
Minimum Breakdown Voltage (V) 418
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Minimum Storage Temperature (°C) -65
Number of Elements per Chip 1
Operating Junction Temperature (°C) N/A
Peak Forward Surge Current (A) N/A
Peak Pulse Power Dissipation (W) 600(Min)
Supplier Temperature Grade N/A
Test Current (mA) 1
Tradename N/A

Copyright © CBTG technologie - Dystrybucja Komponentów Elektronicznych