Wygląda na to, że JavaScript jest wyłączony w twojej przeglądarce. By w pełni cieszyć się naszą stroną, upewnij się, że włączyłeś JavaScript w swojej przeglądarce.

Przejdź na koniec galerii

main product photo

Przejdź na początek galerii

BC858BWT106

ROHM SEMICONDUCTOR

Powiadom mnie gdy produkt będzie dostępny

Więcej informacji
Do pobrania	Download
Main description	Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin UMT T/R

PARAMETRY PRODUKTU

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin UMT T/R

Informacje podstawowe

ProducentROHM Semiconductor
EURoHSYes (2011/65/EU, 2015/863)
Automotive No

Informacje dodatkowe

Crosses 108
Inventory 1
PCNs 2
MaskPart BC858BW%
IntroductionDate Nov 23, 1998
SupplierUrl http://search.rohm.com/?q=BC858BWT106&la=en&sort=0&layout=site&count=10&ftype=

Parametry

Category Bipolar Power
Configuration Single
Material N/A
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) N/A
Maximum Collector Base Voltage (V) 30
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 30
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 350
Maximum Storage Temperature (°C) 150
Maximum Transition Frequency (MHz) 250(Typ)
Minimum DC Current Gain 210@2mA@5V
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Minimum Storage Temperature (°C) -65
Number of Elements per Chip 1
Output Power (W) N/R
Supplier Temperature Grade N/A
Type PNP

Copyright © CBTG technologie - Dystrybucja Komponentów Elektronicznych